【A04】Si,SiC,GaN等の結晶とウエハ

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半導体シリコンおよびWBG半導体(炭化珪素、窒化ガリウムなど)の単結晶育成、ウエハ加工、エピウエハ製造法、結晶欠陥、特性比較、開発状況等について述べる。

羽深 等(横国大)

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