実験B(事前学習):スイッチング特性 (全3回)
基礎技術解説ビデオにより実験内容を理解する
ダイオード、MOSFET、IGBT、SiC、GaN等の動作原理を直感的にかみ砕いて紹介する。
(講師:羽路伸夫)
「B:パワーデバイスのスイッチング特性測定実験」の全体ページはこちら
[01] pn接合
[02] Si MOSFET
[03] Si BJT
パワーエレクトロニクスを俯瞰して学ぶ!社員教育・研修プログラム
基礎技術解説ビデオにより実験内容を理解する
ダイオード、MOSFET、IGBT、SiC、GaN等の動作原理を直感的にかみ砕いて紹介する。
(講師:羽路伸夫)
「B:パワーデバイスのスイッチング特性測定実験」の全体ページはこちら