2020年1月26日 / 最終更新日 : 2020年4月7日 横浜パワエレカレッジ basic01

③半導体および半導体デバイスの基礎

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pn接合の降伏現象と高耐圧化、および、スピードとのトレードオフについて学んだ後、基本的な３端子デバイスであるばいぽーら接合トランジスタ(BJT)とMOS FETについて学習する。
羽路伸夫（横国大）

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