2020年1月26日 / 最終更新日 : 2020年4月7日 横浜パワエレカレッジ basic01

④パワー半導体の特性

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Siパワーデバイスとして広く用いられるIGBTについて学ぶ。また、ワイドギャップ半導体を使う理由について学び、SiCデバイス、GaNデバイスの概略を学ぶ。
羽路伸夫（横国大）

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