2020年1月26日 / 最終更新日 : 2020年4月7日 横浜パワエレカレッジ basic01

④パワー半導体の特性

またはlog in を使用してこのコースを表示します。
登録

Siパワーデバイスとして広く用いられるIGBTについて学ぶ。また、ワイドギャップ半導体を使う理由について学び、SiCデバイス、GaNデバイスの概略を学ぶ。
羽路伸夫（横国大）

レッスン

タグ
user-141、user-157、user-178、user-206、user-211、user-214、user-22、user-223、user-235、user-237、user-238、user-245、user-246、user-247、user-248、user-249、user-253、user-254、user-264、user-265、user-269、user-272、user-273、user-274、user-38、user-55、user-60、user-7
コースカテゴリー
basic01
user-13

前の記事

③半導体および半導体デバイスの基礎
2020年1月26日
user-12

次の記事

⑤パワー半導体モジュールと設計例
2020年1月26日