【A04】Si，SiC，GaN等の結晶とウエハ
半導体シリコンおよびWBG半導体（炭化珪素、窒化ガリウムなど）の単結晶育成、ウエハ加工、エピウエハ製造法、結晶欠陥、特性比較、開発状況等について述べる。
羽深 等（横国大）
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